30N20
MOSFET
N-Channel
TO220AB
Parametros Principales
Vds Max.
200.000 V
Id Max.
40.000 A
RDSon
0.0600 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
300.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220AB |
| tr - Rise Time | 220 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 200 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 40 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.06 typ Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 30N20:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 30N20?
Los reemplazos compatibles para el 30N20 incluyen: 2SJ530STL, 2SJ598-Z-E1, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK1589-T1B, 2SK1623, 2SK2158-T1B, 30N06L, 30N06-TO220, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 30N20?
El 30N20 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220AB.
¿Cual es el voltaje maximo del 30N20?
El 30N20 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 40.000 A.