30N50
MOSFET
N-Channel
TO3PN
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
30.000 A
RDSon
0.2500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
300.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3PN |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 30 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.25 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 30N50:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 30N50?
Los reemplazos compatibles para el 30N50 incluyen: 2SK1085-M, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK1969-01, 2SK2258, 2SK2753, 2SK3262, 2SK428, 80N06, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 30N50?
El 30N50 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3PN.
¿Cual es el voltaje maximo del 30N50?
El 30N50 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 30.000 A.