30P55
MOSFET
P-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
55.000 V
Id Max.
30.000 A
RDSon
0.0400 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
90.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 240 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 30 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 90 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 55 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.04 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 30P55:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 30P55?
Los reemplazos compatibles para el 30P55 incluyen: 2301H, 2301L, 25P06, 25P10, 25P10G, 28N10, 28P55, 2SK711, 2SK704, 2SK709, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 30P55?
El 30P55 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 30P55?
El 30P55 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 55.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 30.000 A.