38N10A
MOSFET
N-Channel
LCC
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
38.000 A
RDSon
0.0550 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
300.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | LCC |
| tr - Rise Time | 190 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1100 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 38 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.055 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 38N10A:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 38N10A?
Los reemplazos compatibles para el 38N10A incluyen: 1N60G, 20N50B, 20N60A, 24N50A, 24N50B, 24N50C, 2MI50S-050, 2SK711, 2SK704, 2SK709, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 38N10A?
El 38N10A es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado LCC.
¿Cual es el voltaje maximo del 38N10A?
El 38N10A tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 38.000 A.