3CD010G
BJT
PNP
TO66
Parametros Principales
Vce Max.
200.000 V
Vcb Max.
200.000 V
Ic Max.
1.500 A
hFE Min
15.000
Potencia Max.
10.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO66 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 200 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 200 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 10 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 15 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3CD010G:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3CD010G?
Los reemplazos compatibles para el 3CD010G incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR.
¿Que tipo de transistor es el 3CD010G?
El 3CD010G es un transistor BJT PNP en encapsulado TO66.
¿Cual es el voltaje maximo del 3CD010G?
El 3CD010G tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 200.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.500 A.