3CD3C
BJT
PNP
TO-66
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Vcb Max.
80.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
10.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-66 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 80 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 10 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3CD3C:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3CD3C?
Los reemplazos compatibles para el 3CD3C incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N3055B, 2SC3907S, 2SA200-O, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3CD3C?
El 3CD3C es un transistor BJT PNP en encapsulado TO-66.
¿Cual es el voltaje maximo del 3CD3C?
El 3CD3C tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.