3CD6D
BJT
PNP
TO3
Parametros Principales
Vce Max.
110.000 V
Vcb Max.
110.000 V
Ic Max.
5.000 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
50.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 110 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 110 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 50 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3CD6D:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3CD6D?
Los reemplazos compatibles para el 3CD6D incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, BC548, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3CD6D?
El 3CD6D es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 3CD6D?
El 3CD6D tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 110.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 5.000 A.