3CD9B
BJT
PNP
TO-3
Parametros Principales
Vce Max.
50.000 V
Vcb Max.
50.000 V
Ic Max.
15.000 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
150.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 50 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 50 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 150 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3CD9B:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3CD9B?
Los reemplazos compatibles para el 3CD9B incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2NC5566, 2SA1012D, 2SC5200H, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3CD9B?
El 3CD9B es un transistor BJT PNP en encapsulado TO-3.
¿Cual es el voltaje maximo del 3CD9B?
El 3CD9B tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 15.000 A.