3CD9F
BJT
PNP
TO-3
Parametros Principales
Vce Max.
300.000 V
Vcb Max.
300.000 V
Ic Max.
15.000 A
hFE Min
15.000
Potencia Max.
150.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 300 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 300 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 150 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 15 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3CD9F:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3CD9F?
Los reemplazos compatibles para el 3CD9F incluyen: 2N4401, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SD1286-Z, 2SD1804L-T, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3CD9F?
El 3CD9F es un transistor BJT PNP en encapsulado TO-3.
¿Cual es el voltaje maximo del 3CD9F?
El 3CD9F tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 300.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 15.000 A.