3CG6517M
BJT
NPN
SOT23
Parametros Principales
Vce Max.
350.000 V
Vcb Max.
350.000 V
Ic Max.
0.500 A
hFE Min
15.000
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT23 |
| Polarity | NPN |
| SMD Transistor Code | H3D |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 40 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 6 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 350 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 350 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.3 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 15 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3CG6517M:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3CG6517M?
Los reemplazos compatibles para el 3CG6517M incluyen: 2SB817, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N918ADCSM, 2N918DCSM, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3CG6517M?
El 3CG6517M es un transistor BJT NPN en encapsulado SOT23.
¿Cual es el voltaje maximo del 3CG6517M?
El 3CG6517M tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 350.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.500 A.