3DA001B
BJT
NPN
TO18
Parametros Principales
Vce Max.
50.000 V
Vcb Max.
55.000 V
Ic Max.
0.150 A
hFE Min
15.000
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO18 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 300 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 55 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 50 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 15 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3DA001B:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3DA001B?
Los reemplazos compatibles para el 3DA001B incluyen: 3DA001A, 3DA030A, 3DA030B, 3DA030C, 3DA030D, 3DA030E, 3DA030F, 3DA030G, 3DA2073, 3DA3063, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3DA001B?
El 3DA001B es un transistor BJT NPN en encapsulado TO18.
¿Cual es el voltaje maximo del 3DA001B?
El 3DA001B tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.150 A.