3DA58E
BJT
NPN
TO276AB TO220 TO257
Parametros Principales
Vce Max.
500.000 V
Vcb Max.
1000.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
15.000
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO276AB TO220 TO257 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 1 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 1000 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 500 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 50 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 15 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3DA58E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3DA58E?
Los reemplazos compatibles para el 3DA58E incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 13007, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3DA58E?
El 3DA58E es un transistor BJT NPN en encapsulado TO276AB TO220 TO257.
¿Cual es el voltaje maximo del 3DA58E?
El 3DA58E tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 500.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.