3DA5D

BJT NPN TO3

Parametros Principales

Vce Max. 150.000 V
Vcb Max. 150.000 V
Ic Max. 0.750 A
hFE Min 15.000
Potencia Max. 5.000 W
Tj Max. 175.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO3
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 30 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 0.75 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 4 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 150 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 150 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 175 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 5 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 15

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3DA5D:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 3DA5D?

Los reemplazos compatibles para el 3DA5D incluyen: 3DA3902, 3DA3942, 3DA4002, 3DA50A, 3DA50B, 3DA50C, 3DA50D, 3DA50E, 3DA5A, 3DA5B, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 3DA5D?

El 3DA5D es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.

¿Cual es el voltaje maximo del 3DA5D?

El 3DA5D tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 150.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.750 A.

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