3DA608E
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vce Max.
150.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 50 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 150 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 100 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3DA608E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3DA608E?
Los reemplazos compatibles para el 3DA608E incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, A1015, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3DA608E?
El 3DA608E es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 3DA608E?
El 3DA608E tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 150.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 10.000 A.