3DA752

BJT NPN TO251

Parametros Principales

Vce Max. 30.000 V
Vcb Max. 40.000 V
Ic Max. 2.000 A
hFE Min 100.000
Potencia Max. 15.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO251
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 120 MHz
Collector Capacitance (Cc) 12 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 2 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 40 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 30 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 15 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 100

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3DA752:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 3DA752?

Los reemplazos compatibles para el 3DA752 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6922, 2N6922A, 2N6923, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 3DA752?

El 3DA752 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO251.

¿Cual es el voltaje maximo del 3DA752?

El 3DA752 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.

Scroll al inicio