3DA8B

BJT NPN TO276AB

Parametros Principales

Vce Max. 120.000 V
Vcb Max. 150.000 V
Ic Max. 10.000 A
hFE Min 15.000
Potencia Max. 100.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO276AB
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 15 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 10 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 150 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 120 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 100 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 15

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3DA8B:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 3DA8B?

Los reemplazos compatibles para el 3DA8B incluyen: 3DA1846, 3DA314, 3DA3150, 3DA3209, 3DA325, 3DA3279, 3DA3866, 3DA80A, 3DA80B, 3DA80C, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 3DA8B?

El 3DA8B es un transistor BJT NPN en encapsulado TO276AB.

¿Cual es el voltaje maximo del 3DA8B?

El 3DA8B tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 120.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 10.000 A.

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