3DD100D

BJT NPN TO-66

Parametros Principales

Vce Max. 250.000 V
Vcb Max. 300.000 V
Ic Max. 1.500 A
hFE Min 40.000
Potencia Max. 20.000 W
Tj Max. 175.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO-66
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Maximum Collector Current |Ic max| 1.5 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 4 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 300 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 250 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 175 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 20 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 40

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3DD100D:

2N5322R BJT PNP 2N5322V BJT PNP 2N5322W BJT PNP 2N5322Y BJT PNP 2N5323 BJT PNP 2N5323BL BJT PNP 2N5323BR BJT PNP 2SA200-O BJT 2SA200-Y BJT 2SD669 BJT NPN 3CD9D BJT PNP 3CD9F BJT PNP 3CF20D BJT PNP 3DA98 BJT NPN 3DA98J BJT NPN 3DD100A BJT NPN 3DD100B BJT NPN 3DD100C BJT NPN 3DD100E BJT NPN 3DD101A BJT NPN 3DD101B BJT NPN 3DD101C BJT NPN 3DD101D BJT NPN 3DD101E BJT NPN 3DD102A BJT NPN 3DD102D BJT NPN

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 3DD100D?

Los reemplazos compatibles para el 3DD100D incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SD669, y 16 mas.

¿Que tipo de transistor es el 3DD100D?

El 3DD100D es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-66.

¿Cual es el voltaje maximo del 3DD100D?

El 3DD100D tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 250.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.500 A.

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