3DD101E
BJT
NPN
TO-3
Parametros Principales
Vce Max.
300.000 V
Vcb Max.
350.000 V
Ic Max.
5.000 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 350 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 300 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 50 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3DD101E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3DD101E?
Los reemplazos compatibles para el 3DD101E incluyen: 2SB649, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3DD101E?
El 3DD101E es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-3.
¿Cual es el voltaje maximo del 3DD101E?
El 3DD101E tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 300.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 5.000 A.