3DD13003F6
BJT
NPN
TO126
Parametros Principales
Vce Max.
400.000 V
Vcb Max.
700.000 V
Ic Max.
1.500 A
hFE Min
15.000
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO126 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 5 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 9 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 700 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 400 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 50 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 15 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3DD13003F6:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3DD13003F6?
Los reemplazos compatibles para el 3DD13003F6 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 29012H, 2SC4617Q, 2SC4617R, y 5 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3DD13003F6?
El 3DD13003F6 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO126.
¿Cual es el voltaje maximo del 3DD13003F6?
El 3DD13003F6 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 400.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.500 A.