3DD167E
BJT
NPN
TO-3
Parametros Principales
Vce Max.
250.000 V
Vcb Max.
350.000 V
Ic Max.
15.000 A
hFE Min
15.000
Potencia Max.
150.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 350 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 250 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 150 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 15 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3DD167E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3DD167E?
Los reemplazos compatibles para el 3DD167E incluyen: 2N5551, 3DD159C, 3DD159D, 3DD159E, 3DD159F, 3DD167A, 3DD167B, 3DD167C, 3DD167D, 3DD167F, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3DD167E?
El 3DD167E es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-3.
¿Cual es el voltaje maximo del 3DD167E?
El 3DD167E tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 250.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 15.000 A.