3DD200
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vce Max.
100.000 V
Vcb Max.
250.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
30.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 250 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 100 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 30 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3DD200:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3DD200?
Los reemplazos compatibles para el 3DD200 incluyen: 2SD1047, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3DD200?
El 3DD200 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 3DD200?
El 3DD200 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 100.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.