3DD200D
BJT
NPN
TO-3
Parametros Principales
Vce Max.
200.000 V
Vcb Max.
250.000 V
Ic Max.
20.000 A
hFE Min
5.000
Potencia Max.
200.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 20 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 7 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 250 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 200 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 200 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 5 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3DD200D:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3DD200D?
Los reemplazos compatibles para el 3DD200D incluyen: 3DD159E, 3DD159F, 3DD167A, 3DD167B, 3DD167C, 3DD167D, 3DD167E, 3DD167F, 3DD202A, 3DD202B, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3DD200D?
El 3DD200D es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-3.
¿Cual es el voltaje maximo del 3DD200D?
El 3DD200D tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 200.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 20.000 A.