3DD202B
BJT
NPN
TO-3
Parametros Principales
Vce Max.
800.000 V
Vcb Max.
1500.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
7.000
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 8 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 1500 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 800 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 50 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 7 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3DD202B:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3DD202B?
Los reemplazos compatibles para el 3DD202B incluyen: 2N2222, 3DD167A, 3DD167B, 3DD167C, 3DD167D, 3DD167E, 3DD167F, 3DD200D, 3DD202A, 3DD208, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3DD202B?
El 3DD202B es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-3.
¿Cual es el voltaje maximo del 3DD202B?
El 3DD202B tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 800.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.