3DD5036
BJT
NPN
TO3P
Parametros Principales
Vce Max.
600.000 V
Vcb Max.
1700.000 V
Ic Max.
8.000 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| Polarity | NPN |
| SMD Transistor Code | D5036 |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 1.7 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 8 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 1700 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 600 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 50 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3DD5036:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3DD5036?
Los reemplazos compatibles para el 3DD5036 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SB1443, 2SC5856, 2SA200-O, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3DD5036?
El 3DD5036 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 3DD5036?
El 3DD5036 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 600.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 8.000 A.