3DD6E
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vce Max.
150.000 V
Vcb Max.
150.000 V
Ic Max.
7.500 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 7.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 150 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 150 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 50 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3DD6E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3DD6E?
Los reemplazos compatibles para el 3DD6E incluyen: 3DA77, 3DK501D.
¿Que tipo de transistor es el 3DD6E?
El 3DD6E es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 3DD6E?
El 3DD6E tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 150.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 7.500 A.