3DF1E
BJT
NPN
TO-66
Parametros Principales
Vce Max.
250.000 V
Vcb Max.
350.000 V
Ic Max.
1.500 A
hFE Min
15.000
Potencia Max.
10.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-66 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 350 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 250 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 10 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 15 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3DF1E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3DF1E?
Los reemplazos compatibles para el 3DF1E incluyen: 3DD208, 3DD523, 3DD880, 3DD880X, 3DF1A, 3DF1B, 3DF1C, 3DF1D, 3DF1F, 3DF20A, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3DF1E?
El 3DF1E es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-66.
¿Cual es el voltaje maximo del 3DF1E?
El 3DF1E tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 250.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.500 A.