3DF1F
BJT
NPN
TO-66
Parametros Principales
Vce Max.
300.000 V
Vcb Max.
450.000 V
Ic Max.
1.500 A
hFE Min
15.000
Potencia Max.
10.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-66 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 450 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 300 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 10 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 15 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3DF1F:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3DF1F?
Los reemplazos compatibles para el 3DF1F incluyen: 3DD523, 3DD880, 3DD880X, 3DF1A, 3DF1B, 3DF1C, 3DF1D, 3DF1E, 3DF20A, 3DF20B, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3DF1F?
El 3DF1F es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-66.
¿Cual es el voltaje maximo del 3DF1F?
El 3DF1F tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 300.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.500 A.