3DF20D
BJT
NPN
TO-3
Parametros Principales
Vce Max.
200.000 V
Vcb Max.
250.000 V
Ic Max.
20.000 A
hFE Min
15.000
Potencia Max.
200.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 20 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 250 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 200 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 200 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 15 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3DF20D:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3DF20D?
Los reemplazos compatibles para el 3DF20D incluyen: 2SD718, 3DF1B, 3DF1C, 3DF1D, 3DF1E, 3DF1F, 3DF20A, 3DF20B, 3DF20C, 3DF20E, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3DF20D?
El 3DF20D es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-3.
¿Cual es el voltaje maximo del 3DF20D?
El 3DF20D tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 200.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 20.000 A.