3LN01C
MOSFET
N-Channel
CP
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
0.150 A
RDSon
3.7000 Ω
Vgs Max.
10.000 V
Potencia Max.
0.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | CP |
| tr - Rise Time | 65 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 5.9 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.15 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 10 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 3.7 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3LN01C:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3LN01C?
Los reemplazos compatibles para el 3LN01C incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK705, 2SK4196LS, 2SK4197LS, 2SK4198LS, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3LN01C?
El 3LN01C es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado CP.
¿Cual es el voltaje maximo del 3LN01C?
El 3LN01C tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.150 A.