3LP01C
MOSFET
P-Channel
CP
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
0.100 A
RDSon
10.4000 Ω
Vgs Max.
10.000 V
Potencia Max.
0.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | CP |
| tr - Rise Time | 55 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 5.7 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 10 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 10.4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3LP01C:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3LP01C?
Los reemplazos compatibles para el 3LP01C incluyen: 2N7002, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK705, 2SK4209, 2SK4210, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3LP01C?
El 3LP01C es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado CP.
¿Cual es el voltaje maximo del 3LP01C?
El 3LP01C tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.100 A.