3N112
BJT
PNP
TO72
Parametros Principales
Vce Max.
50.000 V
Ic Max.
0.020 A
Potencia Max.
0.100 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO72 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 12 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 10 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.02 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 50 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.1 W |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3N112:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3N112?
Los reemplazos compatibles para el 3N112 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA1015, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3N112?
El 3N112 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO72.
¿Cual es el voltaje maximo del 3N112?
El 3N112 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.020 A.