3N165
MOSFET
P-Channel
TO-99
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
0.050 A
RDSon
300.0000 Ω
Vgs Max.
125.000 V
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-99 |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 3 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.05 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 125 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 300 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3N165:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3N165?
Los reemplazos compatibles para el 3N165 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK3430-S, 2SK3430-Z, 2SK3523-01R, 2SK3525-01MR, 2SK3637, 2SK4096LS, 3N161, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3N165?
El 3N165 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO-99.
¿Cual es el voltaje maximo del 3N165?
El 3N165 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.050 A.