3N169
MOSFET
N-Channel
TO72
Parametros Principales
Vds Max.
25.000 V
Id Max.
0.030 A
RDSon
200.0000 Ω
Vgs Max.
35.000 V
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO72 |
| tr - Rise Time | 10 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.03 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 35 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 25 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 200 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3N169:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3N169?
Los reemplazos compatibles para el 3N169 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 3N124, 3N125, 3N126, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3N169?
El 3N169 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO72.
¿Cual es el voltaje maximo del 3N169?
El 3N169 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 25.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.030 A.