3N25
MOSFET
N-Channel
TO251 TO252
Parametros Principales
Vds Max.
250.000 V
Id Max.
3.000 A
RDSon
1.7000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 TO252 |
| tr - Rise Time | 25.3 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 27 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 250 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.7 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3N25:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3N25?
Los reemplazos compatibles para el 3N25 incluyen: 18N20, 18N20A, 16N50F, 13N50F, 20N50, 2N25, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 5N20A, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3N25?
El 3N25 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251 TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 3N25?
El 3N25 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 250.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.000 A.