3N35
BJT
NPN
TO12
Parametros Principales
Vce Max.
30.000 V
Vcb Max.
30.000 V
Ic Max.
0.020 A
hFE Min
25.000
Potencia Max.
0.125 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO12 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 150 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 1.5 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.02 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 30 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 30 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.125 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 25 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3N35:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3N35?
Los reemplazos compatibles para el 3N35 incluyen: 2SC3320, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3N35?
El 3N35 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO12.
¿Cual es el voltaje maximo del 3N35?
El 3N35 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.020 A.