3N57
BJT
NPN
TO12
Parametros Principales
Vce Max.
15.000 V
Vcb Max.
18.000 V
Ic Max.
0.030 A
Potencia Max.
0.150 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO12 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.03 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 18 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 15 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.15 W |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3N57:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3N57?
Los reemplazos compatibles para el 3N57 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 3N133, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3N57?
El 3N57 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO12.
¿Cual es el voltaje maximo del 3N57?
El 3N57 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 15.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.030 A.