3N70G-TN3-R
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
700.000 V
Id Max.
3.000 A
RDSon
4.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 30 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 50 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 700 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3N70G-TN3-R:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3N70G-TN3-R?
Los reemplazos compatibles para el 3N70G-TN3-R incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 30N06G-TF3-T, 3N70G-TF3-T, 3N70G-TM3-T, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3N70G-TN3-R?
El 3N70G-TN3-R es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 3N70G-TN3-R?
El 3N70G-TN3-R tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 700.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.000 A.