3N75
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
750.000 V
Id Max.
3.000 A
RDSon
7.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
75.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 150 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 300 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 75 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 750 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 7 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3N75:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3N75?
Los reemplazos compatibles para el 3N75 incluyen: 2N3904, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 35 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3N75?
El 3N75 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del 3N75?
El 3N75 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 750.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.000 A.