3N80G-TF3-T
MOSFET
N-Channel
TO220F
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
3.000 A
RDSon
4.2000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
25.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220F |
| tr - Rise Time | 27 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 57 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 4.2 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3N80G-TF3-T:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3N80G-TF3-T?
Los reemplazos compatibles para el 3N80G-TF3-T incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 3N70G-TM3-T, 3N70G-TN3-R, 3N70G-TN3-T, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3N80G-TF3-T?
El 3N80G-TF3-T es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220F.
¿Cual es el voltaje maximo del 3N80G-TF3-T?
El 3N80G-TF3-T tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.000 A.