3ODB045D
BJT
NPN
X2N
Parametros Principales
Vce Max.
450.000 V
Vcb Max.
600.000 V
Ic Max.
45.000 A
Potencia Max.
800.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | X2N |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 45 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 600 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 450 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 800 W |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3ODB045D:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3ODB045D?
Los reemplazos compatibles para el 3ODB045D incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 3N91, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3ODB045D?
El 3ODB045D es un transistor BJT NPN en encapsulado X2N.
¿Cual es el voltaje maximo del 3ODB045D?
El 3ODB045D tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 450.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 45.000 A.