3SK108S
MOSFET
N-Channel
DIP
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
0.030 A
RDSon
200.0000 Ω
Vgs Max.
15.000 V
Potencia Max.
0.250 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DIP |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 3 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.03 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 125 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 15 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 200 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3SK108S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3SK108S?
Los reemplazos compatibles para el 3SK108S incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 3SK104, 3SK104V, 3SK107, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3SK108S?
El 3SK108S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DIP.
¿Cual es el voltaje maximo del 3SK108S?
El 3SK108S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.030 A.