3SK113H
MOSFET
N-Channel
TO131
Parametros Principales
Vds Max.
12.000 V
Id Max.
0.080 A
RDSon
200.0000 Ω
Vgs Max.
6.000 V
Potencia Max.
0.200 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO131 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.08 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 125 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 6 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 12 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 200 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3SK113H:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3SK113H?
Los reemplazos compatibles para el 3SK113H incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 3SK108Q, 3SK108R, 3SK108S, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3SK113H?
El 3SK113H es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO131.
¿Cual es el voltaje maximo del 3SK113H?
El 3SK113H tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 12.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.080 A.