3TE120
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
90.000 V
Ic Max.
12.000 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 70 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 12 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 90 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 50 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 3TE120:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 3TE120?
Los reemplazos compatibles para el 3TE120 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 13007, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 3TE120?
El 3TE120 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.