40050
BJT
PNP
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
40.000 V
Ic Max.
5.000 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
12.000 W
Tj Max.
100.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.25 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 40 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 100 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 12 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 40050:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 40050?
Los reemplazos compatibles para el 40050 incluyen: 2N2222A, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 40050?
El 40050 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3.