40312V1
BJT
NPN
TO66
Parametros Principales
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
4.000 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
29.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO66 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 0.375 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 4 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 2 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 29 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 40312V1:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 40312V1?
Los reemplazos compatibles para el 40312V1 incluyen: 40310, 40310V1, 40311, 40311L, 40311S, 40311V1, 40311V2, 40312, 40313, 40314, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 40312V1?
El 40312V1 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO66.