40635S
BJT
NPN
TO5
Parametros Principales
Vcb Max.
75.000 V
Ic Max.
0.700 A
hFE Min
120.000
Potencia Max.
5.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO5 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.7 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 7 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 75 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 120 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 40635S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 40635S?
Los reemplazos compatibles para el 40635S incluyen: 40631, 40632, 40633, 40635, 40635L, 40636, 40637, 40637A, 40665, 40666, y 2 mas.
¿Que tipo de transistor es el 40635S?
El 40635S es un transistor BJT NPN en encapsulado TO5.