40912

BJT NPN TO31

Parametros Principales

Vce Max. 140.000 V
Vcb Max. 140.000 V
Ic Max. 3.000 A
hFE Min 25.000
Potencia Max. 5.800 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO31
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 0.8 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 3 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 7 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 140 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 140 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 5.8 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 25

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 40912:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 40912?

Los reemplazos compatibles para el 40912 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 40895, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 40912?

El 40912 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO31.

¿Cual es el voltaje maximo del 40912?

El 40912 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 140.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.

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