423
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vce Max.
325.000 V
Vcb Max.
400.000 V
Ic Max.
7.000 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
125.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 4 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 7 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 400 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 325 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 125 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 423:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 423?
Los reemplazos compatibles para el 423 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SC5198, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 423?
El 423 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 423?
El 423 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 325.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 7.000 A.