4800
MOSFET
N-Channel
SO-8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
9.000 A
RDSon
0.0200 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO-8 |
| tr - Rise Time | 8 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.02 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 4800:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 4800?
Los reemplazos compatibles para el 4800 incluyen: 2N6845LCC4, 2N6845U, 2N6847U, 2303, 2304, 2305, 045Y, 06N03, 10N60A, 10N60AF, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 4800?
El 4800 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO-8.
¿Cual es el voltaje maximo del 4800?
El 4800 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.000 A.