4N1815PGP
BJT
NPN
TO251S
Parametros Principales
Vce Max.
100.000 V
Vcb Max.
120.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
70.000
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251S |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 180 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 25 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 120 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 100 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 70 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 4N1815PGP:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 4N1815PGP?
Los reemplazos compatibles para el 4N1815PGP incluyen: 2SD1047, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 1DI75F-100, 1SC1383, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 4N1815PGP?
El 4N1815PGP es un transistor BJT NPN en encapsulado TO251S.
¿Cual es el voltaje maximo del 4N1815PGP?
El 4N1815PGP tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 100.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.